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长期回收笔记本CPU i3 i5 i7 三代/四代/五代/六代/七代/八代 全新板截带板植球不限
型号：E8000 E3950 SLJ4K/QS67 SLJ8B/QS77 I5-8350U SR349 3865U N4100 SR3S0 DH82029PCH SLKM8 J1900SR3V5 BD82HM65 SLJ4P BD82HM67 SLJ4N BD82NM70 SLJ8C DH82HM86 SR17E SR17D DH82HM87BD82B75B SLJ85 BD82H61 SLJ4B BH82Z87 SR13A DH82H81 SR177 J4005 J4105 J5005 SR2ZUI5-7200U SR342 SR2KT SR2Z6 4415U 5405U N3350 SR2Z6 N3450 SR3SO N4100 SR2Z7 J3455 SR2Z9 SR347 m3-7Y30 QK0N ES J3160 J5005U
J4105 SR3S4 J4205 SR2ZA J3455 SR2Z9 J3355 SR2Z8 SR2KT Z8350 SR2Z7 N3350 SR3S0 N4100 N4200 N4000
SR0N9 SR071 SR0N8 SR0N5 SR0N7 SR18H SR16Z SR1PX
SR0N2 SR23X SR23Y SR170 SR16M SR16Q SR0XL SR0N8 SR16Z SR16H SR0XF SR0N9 D525 SR18H I7-4850HQ SR1PX I7-4710HQ SR15F I7-4702HQ SR2FQ I7-4950HQ SR2F1 I7-6700HQ SR2UW I7-6600U
I3-6006U SR23Y I5-5200U SR27G I3-5005U SR2F0 I5-6300U SR23V I7-5600U SR3LA I5-82850U
SR3L8 I7-8650U SR3LC I7-8550U SR3S4 J4105 SR2Z9 J3455 SR2Z6 N3450 SR2Z5 N4200 SR3S0 N4100
SRESL 5450U SR2KT Z8350 1037U SR108 J2900 SR1US J1900 SR1UT SR3V5 SR408
I5-8300H SR3Z0 SR2KL N3710 5405U 1037 UM70 I3-5010U SR23Z QLYN ES 3865U
QLDP ES I3-7100U I5-7300HQ I7-7700HQ I7-7500HQ N17E-G1-A1 GP106-750-A1
SR075 I5-2515E Z8350 SR2KT NM70 H81 H110 H170 H310C H310 B360 H370
I7-4600U I5-4210U QNBE es I7-8650U N16P-GT-A2 N17E-G1-A1 GP106-750-A1
I7-4500U I3-3217U I3-3217U SR23Z SR23Y i3-4158U i3-4100U
i3-4130U i3-4110M i3-4120U i3-4025U i3-4000M i3-4030U
I5-4200U I5-3337U I5-3317U I3-3110M I3-3120M I5-2415M
i5-6200U SR2EY SR2F0 i5-6300U SR2F1 i7-6600U i7-7600U SR33Z
i5-7300U sr340SR3L8 I7-8650U I5-8250U QNEF ES QNBF ES i7-8550U 等
并收BD82HM65 SLJ4P BD82HM77 SLJ8C BD82HM76 SLJ8A BD82HM67 SLJ4N
BD82HM70 NM70 BD82H61 SR177 SR173 SR17C SR17D SR40E FH82CM246
FH82Q370 SR404 S FH82H310 SRCXY FH82H370 SR405 SR405 FH82H370
等笔记本北桥芯片显存颗粒:K4G20325FD-FC03 K4G41325FC-HC03 EDW4032BABG-60-F K4G80325FB-HC28 K4G41325FE-HC28K4G41325FE-HC25 K4G80325FB-HC25 H5GC4H24MFR-T2C
H5GC8H24MJR-ROC H5GC8H24MJR-T2C H5GQ8H24MJR-R4C
显卡芯片等带板植球BGA芯片。长期高价回收可整单收！！
然而，随着DRAM制程向10nm靠近，其技术难度越大，包括芯片设计、生产良率、兼容性等问题。三星从2018年中开始使用18nm制程量产8Gb容量的服务器DRAM芯片，如今三星1xnm DRAM良率不佳，或加快1znm技术发展。
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